STD65N55F3

STD65N55F3

品牌: ST(意法半导体)

封装: DPAK

描述: 汽车级N沟道55 V、6.5 mΩ典型值、80 A STripFET F3功率MOSFET，DPAK封装

类型: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 55V

连续漏极电流(Id): 80A

导通电阻(RDS(on)): 8.5mΩ@

STD65N55F3

品牌: ST(意法半导体)

封装: DPAK

描述: 汽车级N沟道55 V、6.5 mΩ典型值、80 A STripFET F3功率MOSFET，DPAK封装

类型: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 55V

连续漏极电流(Id): 80A

导通电阻(RDS(on)): 8.5mΩ@

C5269570_场效应管(MOSFET)_STD65N55F3_规格书_WJ457837.PDF