STL90N10F7

STL90N10F7

品牌: ST(意法半导体)

封装: PowerFLAT-8(5x6)

描述: N沟道100 V、0.007 Ohm典型值、70 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封装

类型: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 70A

导通电阻(RDS(on)): 8mΩ@10V,8A

类目: 场效应管(MOSFET)

STL90N10F7

品牌: ST(意法半导体)

封装: PowerFLAT-8(5x6)

描述: N沟道100 V、0.007 Ohm典型值、70 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封装

类型: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 70A

导通电阻(RDS(on)): 8mΩ@10V,8A

类目: 场效应管(MOSFET)

C472627_场效应管(MOSFET)_STW62N65M5_规格书_ST(意法半导体)场效应管(MOSFET)规格书.PDF